半导体器件 - 耗尽区

最初，当形成结型二极管时，载流子之间存在独特的相互作用。在 N 型材料中，电子很容易穿过结以填充 P 材料中的空穴。这种Behave通常称为扩散。扩散是一种材料中载流子大量积累而另一种材料中载流子聚集较少的结果。

一般来说，靠近结的载流子只参与扩散过程。离开 N 材料的电子导致在其位置产生正离子。当进入P材料填充空穴时，这些电子会产生负离子。因此，连接处的每一侧都含有大量的正离子和负离子。

这些空穴和电子耗尽的区域通常称为耗尽区。这是一个缺乏多数载流子的区域。通常，PN结形成时会形成耗尽区。下图显示了结型二极管的耗尽区。