半导体器件 - 晶体管偏置
晶体管具有三个部分，即发射极、基极和集电极。
基极比发射极薄得多，集电极比两者都宽。
发射极经过重掺杂，因此可以注入大量电荷载流子以进行电流传导。
基极将大部分电荷载流子传递到集电极，因为基极的掺杂程度比发射极和集电极相对较轻。
为了使晶体管正常工作，发射极-基极区域必须正向偏置，集电极-基极区域必须反向偏置。
在半导体电路中，源电压称为偏置电压。为了发挥作用，双极晶体管必须使两个结都偏置。这种情况会导致电流流过电路。器件的耗尽区减小，大多数载流子被注入结处。晶体管工作时，其中一个结必须正向偏置，而另一个结必须反向偏置。
NPN晶体管的工作原理
如上图所示，发射极到基极结正向偏置，集电极到基极结反向偏置。发射极到基极结上的正向偏压导致电子从 N 型发射极流向偏压。该条件确定了发射极电流 (I E )。
当穿过 P 型材料时，电子倾向于与空穴（通常很少）结合，并构成基极电流 (I B )。其余电子穿过薄耗尽区并到达集电极区。该电流构成集电极电流(I C )。
换句话说，发射极电流实际上流经集电极电路。因此，可以认为发射极电流是基极电流和集电极电流之和。可以表示为，
I E = I B + I C
PNP晶体管的工作原理
如下图所示，发射极到基极结正向偏置，集电极到基极结反向偏置。发射极到基极结的正向偏压导致空穴从 P 型发射极流向偏压。该条件确定了发射极电流 (I E )。
当穿过N型材料时，电子倾向于与通常很少的电子结合，并构成基极电流(I B )。其余的空穴穿过薄耗尽区并到达集电极区。该电流构成集电极电流(I C )。
换句话说，发射极电流实际上流经集电极电路。因此，可以认为发射极电流是基极电流和集电极电流之和。可以表示为，
I E = I B + I C