基于配置

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任何晶体管放大器都使用晶体管来放大以三种配置之一连接的信号。对于放大器来说，最好的状态是具有高输入阻抗，以避免多级电路中的负载效应；以及较低的输出阻抗，以便向负载提供最大输出。电压增益和功率增益也应该很高，以产生更好的输出。

现在让我们研究不同的配置，以了解哪种配置更适合晶体管用作放大器。

CB放大器

使用CB配置的晶体管组合形成的放大器电路称为CB放大器。

建造

使用NPN晶体管的共基极放大器电路如下所示，输入信号施加于发射极基极结，输出信号取自集电极基极结。

_{发射极基极结由V EE}正向偏置，集电极基极结由V _CC反向偏置。工作点通过电阻器 Re 和 R _c进行调整。_{因此，I c}、I _b和I _cb的值由V _CC、V _EE、Re_和R _c决定。

手术

当没有施加输入时，形成静态条件并且不存在输出。由于 V _be相对于地为负，因此对于输入信号的正半部分，正向偏置会减小。结果，基极电流I _B也减少。

下图所示为带有自偏置电路的CB放大器。

据我们所知，

$$I_C \cong I_E \cong \beta I_B$$

集电极电流和发射极电流都减小。

_{R C}两端的电压降为

$$V_C = I_C R_C$$

该 V _C也会降低。

随着 I _C R _C减小，V _CB增大。这是因为，

$$V_{CB} = V_{CC} - I_C R_C$$

因此，产生正半周期输出。

在 CB 配置中，正输入产生正输出，因此输入和输出同相。因此，CB 放大器的输入和输出之间不存在相位反转。

如果考虑CB配置进行放大，它具有低输入阻抗和高输出阻抗。与 CE 配置相比，电压增益也较低。因此，CB 配置的放大器用于高频应用。

CE放大器

使用CE配置的晶体管组合形成的放大器电路称为CE放大器。

建造

使用NPN晶体管的共发射极放大器电路如下所示，输入信号施加在发射极基极结处，输出信号取自集电极基极结。

_{发射极基极结由V EE}正向偏置，集电极基极结由V _CC反向偏置。工作点通过电阻器 Re和 R _c进行调整。_{因此，I c}、I _b和I _cb的值由V _CC、V _EE、Re_和R _c决定。

手术

当没有施加输入时，形成静态条件并且不存在输出。当施加正半信号时，基极和发射极之间的电压 Vbe_会增加，因为它相对于地已经为正。

随着正向偏压的增加，基极电流也相应增加。由于 I _C = βIB _，集电极电流也会增加。

下面的电路图显示了具有自偏置电路的 CE 放大器。

集电极电流流过R _C时，压降增大。

$$V_C = I_C R_C$$

结果，集电极和发射极之间的电压降低。因为，

$$V_{CB} = V_{CC} - I_C R_C$$

因此，放大的电压出现在 R _C两端。

^{因此，在 CE 放大器中，当正向信号显示为负向信号时，可以理解，输入和输出之间存在 180 °}的相移。

CE放大器具有比CB放大器更高的输入阻抗和更低的输出阻抗。CE放大器的电压增益和功率增益也很高，因此主要用于音频放大器。

恒流放大器

使用CC配置的晶体管组合形成的放大器电路称为CC放大器。

建造

使用NPN晶体管的共集电极放大器电路如下所示，输入信号施加在基极集电极结，输出信号取自发射极集电极结。

_{发射极基极结由V EE}正向偏置，集电极基极结由V _CC反向偏置。_{I b}和I _e的Q值由R _b和_Re调整。

手术

当没有施加输入时，形成静态条件并且不存在输出。当施加正半信号时，正向偏置会增加，因为 V _be相对于集电极或地为正。由此，基极电流I _B和集电极电流I _C增加。

下面的电路图显示了具有自偏置电路的 CC 放大器。

_{因此，R e}两端的电压降（即输出电压）增加。结果，获得正半周期。由于输入和输出同相，因此不存在相位反转。

如果考虑CC配置进行放大，虽然CC放大器比CE放大器具有更好的输入阻抗和更低的输出阻抗，但CC的电压增益非常小，这限制了其应用仅限于阻抗匹配。

CB CE CC 放大器之间的比较

让我们比较 CB、CE 和 CC 放大器的特性细节。

由于兼容性和特性，共发射极配置主要用于放大器电路。