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脉冲电路 - 晶体管作为开关
晶体管通过驱动饱和或截止来用作电子开关。这两者之间的区域是线性区域。晶体管在该区域充当线性放大器。饱和状态和截止状态是这方面的重要考虑因素。
晶体管的开和关状态
晶体管的工作有两个主要区域,我们可以将其视为导通状态和截止状态。它们是饱和状态和截止状态。让我们看看晶体管在这两种状态下的Behave。
截止状态下运行
下图显示了截止区域中的晶体管。
当晶体管的基极为负时,晶体管进入截止状态。没有集电极电流。因此IC = 0。
施加在集电极上的电压V CC出现在集电极电阻R C两端。所以,
VCE = VCC _
工作在饱和区
下图显示了处于饱和区的晶体管。
当基极电压为正且晶体管进入饱和状态时,IC流过R C。
然后 V CC下降到 R C上。输出将为零。
$$I_C = I_{C(sat)} \: = \: \frac{V_{CC}}{R_C} \: 和 \: V_{CE} = 0$$
事实上,这是最理想的状态。实际上,会产生一些漏电流。因此,我们可以理解,晶体管在饱和时充当开关,并通过向基极施加正负电压来截止区域。
下图给出了更好的解释。
观察连接 I C和 V CC的直流负载线。如果晶体管被驱动至饱和,则 I C完全流动且 V CE = 0,如点A所示。
如果晶体管被驱动到截止状态,IC将为零,V CE = V CC,由点 B 表示。连接饱和点 A 和截止点 B 的线称为负载线。由于此处施加的电压为直流,因此称为直流负载线。
实际考虑
尽管上述条件都令人信服,但要实现这样的结果还存在一些实际限制。
切断状态期间
理想晶体管的 V CE = V CC且 I C = 0。
但实际上,流经集电极的漏电流较小。
因此 I C将为几μA。
这称为集电极漏电流,当然可以忽略不计。
饱和状态期间
理想晶体管的 V CE = 0 且 I C = I C(sat)。
但实际上,V CE会降低到某个称为拐点电压的值。
当V CE下降超过拐点电压时,β 急剧下降。
由于 I C = βI B这会降低集电极电流。
因此,将 V CE维持在拐点电压的最大电流 I C称为饱和集电极电流。
饱和集电极电流 = $I_{C(sat)} \: = \: \frac{V_{CC} - V_{knee}}{R_C}$
仅出于开关目的而制造的晶体管称为开关晶体管。这适用于饱和度或截止区域。在饱和状态下,集电极饱和电流流过负载;在截止状态下,集电极漏电流流过负载。
晶体管的开关动作
晶体管具有三个工作区域。为了了解运行效率,需要考虑实际损失。因此,让我们尝试了解晶体管作为开关的工作效率如何。
切断 (OFF) 状态期间
基极电流 IB = 0
集电极电流IC = I CEO(集电极漏电流)
功率损耗 = 输出电压 × 输出电流
$$= V_{CC} \times I_{CEO}$$
由于I CEO规模很小,V CC也很低,因此损失价值非常低。因此,晶体管在关断状态下充当高效开关。
饱和(ON)状态期间
正如前面所讨论的,
$$I_{C(sat)} = \frac{V_{CC} - V_{膝盖}}{R_C}$$
输出电压为V knee。
功率损耗=输出电压×输出电流
$$= \:V_{膝盖} \times I_{c(sat)}$$
由于V拐点值较小,因此损失较小。因此,晶体管在导通状态下充当高效开关。
在活动区域期间
晶体管处于导通和截止状态之间。该晶体管作为线性放大器运行,输入电流的微小变化会导致输出电流 (ΔI C ) 发生较大变化。
切换时间
开关晶体管以脉冲作为输入,并以变化较小的脉冲作为输出。关于开关输出脉冲的时序,您应该了解一些术语。让我们来看看它们。
令输入脉冲持续时间 = T
当施加输入脉冲时,由于杂散电容的原因,集电极电流需要一些时间才能达到稳态值。下图解释了这个概念。
从上图来看,
时间延迟(t d ) - 集电极电流从其初始值达到其最终值的 10% 所需的时间称为时间延迟。
上升时间(t r ) - 集电极电流从其初始值的 10% 达到其最终值的 90% 所需的时间称为“上升时间”。
开启时间 (TON ) -时间延迟 (t d ) 和上升时间 (t r ) 之和称为开启时间。
T ON = t d + t r
存储时间 (t s ) - 输入脉冲后沿到输出最大值 90% 之间的时间间隔,称为存储时间。
下降时间 (t f ) - 集电极电流从最大值的 90% 达到初始值的 10% 所需的时间称为下降时间。
关断时间 (T OFF ) - 存储时间 (t s ) 和下降时间 (t f ) 之和定义为关断时间。
T关闭= t s + t f
脉冲宽度(W) - 在上升和下降波形的两个 50% 电平之间测量的输出脉冲的持续时间定义为脉冲宽度。