电力电子器件 - MOSFET

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是一种用于开关电子信号的晶体管。它有四个航站楼，即：源极 (S)、漏极 (D)、栅极 (G) 和体 (B)。MOSFET 的体通常连接到源极 (S) 端子，这导致类似于其他场效应晶体管的三端器件（场效应管）。由于这两个主端子通常通过短路互连，因此在电气图中只能看到三个端子。

它是数字和模拟电路中最常见的设备。与常规晶体管相比，MOSFET 需要低电流（小于一毫安）即可导通。同时，它可提供超过 50 安培的高电流负载。

MOSFET 的操作

MOSFET 有一层薄薄的二氧化硅，充当电容器的极板。控制栅极的隔离将 MOSFET 的电阻提高到极高水平（几乎无穷大）。

栅极端子被阻止进入初级电流通路；因此，没有电流泄漏到栅极。

MOSFET 有两种主要形式 -

• 耗尽状态- 这需要栅源电压 (V _GB ) 来关闭组件。当栅极为零 (V _GB ) 时，器件通常处于导通状态，因此，它充当给定逻辑电路的负载电阻。对于具有 N 型耗尽的负载器件，3V 是通过将栅极切换到负 3V 来关闭器件的阈值电压。

• 增强状态- 在此状态下需要栅源电压 (V _GB ) 才能打开组件。当栅极为零 (V _GB ) 时，器件通常处于关闭状态，并且可以通过确保栅极电压高于源电压来打开。

符号和基本结构

其中，D——漏极；G——门；S-源；和子- 基板