晶体管的配置

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当晶体管连接在电路中时，需要四个端子或引线或腿，其中两个用于输入和输出。我们知道晶体管只有 3 个端子，这种情况可以通过使输入和输出部分共用一个端子来克服。因此，晶体管可以按以下三种配置连接 -

• 通用基础配置
• 公共发射器配置
• 通用收集器配置

以下是有关晶体管操作的一些重要注意事项。

• 晶体管可以工作在三个区域，即有源区、饱和区和截止区。

• 当晶体管用于有源区时，基极-发射极结正向偏置，集电极-基极结反向偏置。

• 晶体管在饱和区使用时，基极-发射极结正向偏置，集电极-基极结也正向偏置。

• 晶体管在截止区使用时，基极-发射极结和集电极-基极结均反向偏置。

晶体管配置比较

下表显示了晶体管配置的比较。

晶体管的优点和缺点

下表列出了晶体管的优点和缺点。

电流放大系数（α）

在集电极/基极电压V _cb恒定的情况下，集电极电流的变化与发射极电流的变化之比称为电流放大系数“α”。可以表示为

$\alpha = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$ 在恒定 V _CB处

很明显，考虑到基极是轻掺杂且薄的，电流放大系数小于1，并且与基极电流成反比。

基极电流放大系数（β）

它是集电极电流变化与基极电流变化之比。基极电流的微小变化会导致集电极电流的巨大变化。因此，晶体管能够获得电流增益。可以表示为

$$\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$$

晶体管作为放大器

下图显示负载电阻 (R _{L ) 与集电极电源电压 (V cc} )串联。发射极和基极之间的小电压变化ΔV _i引起相对大的发射极电流变化ΔI _E。

我们通过符号“a”来定义 - 当前变化的分数 - 被收集并通过R _L。负载电阻两端的输出电压变化ΔV _o = a'RL ΔI _E可能是输入电压变化ΔV _I的许多倍。在这种情况下，电压放大倍数A == V _O /ΔV _I将大于 1，并且晶体管充当放大器。