晶体管的构造

以下是晶体管构造中使用的一些制造技术 -

扩散型

在此方法中，半导体晶片经过一些N型和P型杂质的气体扩散以形成发射极结和集电极结。首先，在基极扩散之前确定基极-集电极结并进行光刻。随后，发射极扩散到基极上。采用这种技术制造的晶体管具有更好的噪声系数，并且电流增益也有所改善。

它是通过从熔化的硅或锗中拉制单晶而形成的。在拉晶操作期间添加所需浓度的杂质。

在相同类型的重掺杂衬底上生长非常高纯度且薄的硅或锗单晶层。这种晶体的改进版本形成了集电极，发射极结和基极结形成在集电极上。

在此方法中，基部由 N 型材料薄片制成。在切片的相对两侧，附着有两个小铟点，并且完整的形成物在较短的时间内保持在高温下。该温度将高于铟的熔化温度并低于锗。这种技术也称为融合结构。

在该方法中，在半导体晶片的相对侧上蚀刻凹陷以减小基极区域的宽度。然后将合适的金属电镀到凹陷区域以形成发射极和集电极结。