半导体器件 - JFET 偏置

有两种方法可用来偏置 JFET：自偏置法和分压器法。在本章中，我们将详细讨论这两种方法。

自偏压法

下图展示了n沟道JFET的自偏置方法。漏极电流流过R _s并产生所需的偏置电压。因此，R _s是偏置电阻。

因此，偏置电阻两端的电压，

$$V_s = I_{DRS}$$

我们知道，栅极电流很小，可以忽略不计，栅极端子处于直流接地，V _G = 0，

$$V_{GS} = V_G - V_s = 0 - I_{DRS}$$

或$V_{GS} = -I_{DRS}$

V _GS使栅极相对于源极保持负值。

下图显示了对 JFET 进行偏置的分压器方法。这里，电阻器R ₁和R ₂形成漏极电源电压(V _DD )两端的分压器电路，并且它或多或少与晶体管偏置中使用的电路相同。

_{R 2}两端的电压提供必要的偏置 -

$$V_2 = V_G = \frac{V_{DD}}{R_1 + R_2} \times R_2$$

$= V_2 + V_{GS} + I_D + R_S$

或$V_{GS} = V_2 - I_{DRS}$

该电路的设计使V _GS始终为负。工作点可以使用以下公式找到 -

$$I_D = \frac{V_2 - V_{GS}}{R_S}$$

$V_{DS} = V_{DD} - I_D(R_D + R_S) $