场效应晶体管

场效应晶体管 (FET) 是一种三端半导体器件。其操作基于受控输入电压。从外观上看，JFET 和双极晶体管非常相似。然而，BJT 是电流控制器件，而 JFET 由输入电压控制。最常见的是两种类型的 FET。

结型场效应晶体管

结型场效应晶体管的功能仅取决于多数载流子（电子或空穴）的流动。基本上，JFET 由侧面含有 PN 结的N型或P型硅棒组成。以下是有关 FET 需要记住的一些要点 -

现场半导体器件中常用的JFET有两种类型：N沟道JFET和P沟道JFET。

它在 P 型基板上形成了一层薄薄的 N 型材料。下图显示了 N 沟道 JFET 的晶体结构和示意图符号。然后用P型材料在N沟道顶部形成栅极。通道和栅极的末端附有引线，与基板没有连接。

当直流电压源连接到 JFET 的源极和漏极引线时，最大电流将流过通道。相同量的电流将从源极和漏极端子流出。通道电流的大小将由V _DD的值和通道的内阻决定。

JFET 的源极-漏极电阻的典型值为数百欧姆。很明显，即使栅极打开，通道中也会发生全电流传导。本质上，ID 处施加的偏置电压量控制着流经 JFET 沟道的载流子的流动。通过栅极电压的微小变化，可以将 JFET 控制在完全导通和截止状态之间的任何位置。

它在 N 型基板上形成了一层薄薄的 P 型材料。下图显示了 N 沟道 JFET 的晶体结构和示意图符号。栅极采用N型材料形成在P沟道顶部。在通道和门的末端连接有引线。其余的构造细节与 N 沟道 JFET 类似。

通常对于一般操作，栅极端子相对于源极端子为正。PN结耗尽层的大小取决于反向偏置栅极电压值的波动。通过栅极电压的微小变化，可以将 JFET 控制在完全导通和截止状态之间的任何位置。

JFET 的输出特性是在恒定栅源电压 ( V _{GS ) 下的漏极电流 (I}_D ) 和漏源电压 ( V _DS ) 之间绘制的，如下图所示。

最初，漏极电流 (I _D ) 随着漏极源极电压 (V _DS ) 快速上升，但突然在称为夹断电压 (V _P ) 的电压下变得恒定。高于夹断电压时，沟道宽度变得非常窄，以至于允许非常小的漏极电流通过。因此，漏极电流 (I _D ) 在夹断电压以上保持恒定。

JFET 的主要参数是 -

交流漏极电阻 (R _d ) - 栅源电压恒定时，漏源电压变化 (ΔV _DS ) 与漏电流变化 (ΔI _D )之比。可以表示为，

_{V GS}恒定时，R _d = (ΔV _DS )/(ΔI _{D )}

跨导 (g _fs ) - 漏极-源极电压恒定时，漏极电流变化 (ΔI _D ) 与栅源电压变化 (ΔV _GS )之比。可以表示为，

g _fs = (ΔI _D )/(ΔV _GS ) 在恒定 V _DS下

放大系数 (u) - 漏源电压变化 (ΔV _DS ) 与栅源电压变化 (ΔV _GS ) 恒定漏极电流 (ΔI _D )之比。可以表示为，

u = (ΔV _DS )/(ΔV _{GS ) 在 I}_D恒定时