半导体器件 - MOSFET
金属氧化物半导体场效应晶体管（也称为 MOSFET）具有更大的重要性，是 FET 系列的新成员。
它具有轻掺杂的 P 型衬底，其中扩散有两个重掺杂的 N 型区域。该设备的一个独特之处在于其门结构。这里，栅极与通道完全绝缘。当电压施加到栅极时，它将产生静电电荷。
此时，不允许电流在器件的栅极区域流动。此外，栅极是器件中涂有金属的区域。一般采用二氧化硅作为栅极和沟道之间的绝缘材料。由于这个原因，它也被称为绝缘栅 FET。有两种广泛使用的 MOSFET：i) 耗尽型 MOSFET；ii) 增强型 MOSFET。
MOSFET
下图显示了 n 沟道 D-MOSFET 和符号。栅极形成电容器，其中栅极作为一个极板，另一极板为沟道，以SiO 2层作为电介质。当栅极电压变化时，电容器的电场发生变化，从而改变n沟道的电阻。
在这种情况下，我们可以向栅极施加正电压或负电压。当 MOSFET 以负栅极电压工作时，称为耗尽模式；以正栅极电压工作时，称为 MOSFET 的增强工作模式。
耗尽模式
下图显示了耗尽操作模式下的 n 沟道 D-MOSFET。
其操作如下 -
大多数电子在栅极上可用，因为栅极是负的并且它排斥n沟道的电子。
此作用会在通道部分留下正离子。换句话说，n沟道的一些自由电子被耗尽。因此，可用于通过n沟道传导电流的电子数量较少。
栅极处的负电压越大，从源极到漏极的电流越小。因此，我们可以通过改变栅极上的负电压来改变n沟道的电阻以及从源极到漏极的电流。
强化模式
下图显示了增强工作模式下的 n 沟道 D MOSFET。这里，栅极充当电容器。然而，在这种情况下，门是正的。它激发n沟道中的电子，并且n沟道中的电子数量增加。
正栅极电压增强或增加沟道的电导率。栅极上的正电压越大，从源极到漏极的传导越大。
因此，我们可以通过改变栅极上的正电压来改变n沟道的电阻以及从源极到漏极的电流。
D-MOSFET 的传输特性
下图显示了 D-MOSFET 的传输特性。
当 V GS变为负值时，I D降至 I DSS值以下，直到达到零且 V GS = V GS（关闭）（耗尽模式）。当V GS为零时，因为栅极和源极端子短路，所以I D = I DSS 。当 V GS为正并且 MOSFET 处于增强模式时， I D增加到高于 I DSS的值。
