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VLSI 设计 - 时序 MOS 逻辑电路
逻辑电路分为两类 - (a) 组合电路和 (b) 时序电路。
在组合电路中,输出仅取决于最新输入的条件。
在时序电路中,输出不仅取决于最新的输入,还取决于较早输入的条件。时序电路包含存储元件。
时序电路分为三种类型 -
双稳态- 双稳态电路有两个稳定的工作点,并且将处于任一状态。示例 - 存储单元、锁存器、触发器和寄存器。
单稳态- 单稳态电路只有一个稳定工作点,即使它们暂时受到相反状态的干扰,它们也会及时返回到其稳定工作点。例如:定时器、脉冲发生器。
Astable - 电路没有稳定的工作点并在几种状态之间振荡。示例 - 环形振荡器。
CMOS逻辑电路
基于或非门的SR锁存器
如果置位输入 (S) 等于逻辑“1”且复位输入等于逻辑“0”。那么输出 Q 将被强制为逻辑“1”。而 $\overline{Q}$ 被强制为逻辑“0”。这意味着 SR 锁存器将被设置,无论其先前的状态如何。
类似地,如果 S 等于“0”且 R 等于“1”,则输出 Q 将被强制为“0”,而 $\overline{Q}$ 将被强制为“1”。这意味着锁存器被重置,无论其先前保持的状态如何。最后,如果输入 S 和 R 都等于逻辑“1”,则两个输出将被迫为逻辑“0”,这与 Q 和 $\overline{Q}$ 的互补性相冲突。
因此,在正常操作期间不允许这种输入组合。表中给出了基于 NOR 的 SR 锁存器的真值表。
S | 右 | 问 | $\overline{Q}$ | 手术 |
---|---|---|---|---|
0 | 0 | 问 | $\overline{Q}$ | 抓住 |
1 | 0 | 1 | 0 | 放 |
0 | 1 | 0 | 1 | 重置 |
1 | 1 | 0 | 0 | 不允许 |
基于或非门的CMOS SR锁存器如下图所示。
如果S等于V OH且R等于V OL,则并联的晶体管M1和M2都将导通。节点 $\overline{Q}$ 上的电压将呈现逻辑低电平 V OL = 0。
同时,M3和M4均截止,从而在节点Q处产生逻辑高电压V OH。如果R等于V OH且S等于V OL,则M1和M2截止并且M3和M4打开。
基于与非门的SR锁存器
图中显示了基于 NAND 的 SR 锁存器的框图和门级原理图。S和R输入端的小圆圈代表电路响应低电平有效输入信号。基于 NAND 的 SR 锁存器的真值表如表所示
S | 右 | 问 | Q′ | |
0 | 0 | 数控 | 数控 | 不用找了。锁存器保持当前状态。 |
1 | 0 | 1 | 0 | 闩锁设置。 |
0 | 1 | 0 | 1 | 锁存复位。 |
1 | 1 | 0 | 0 | 无效条件。 |
如果 S 变为 0(同时 R = 1),Q 变为高电平,将 $\overline{Q}$ 拉低,锁存器进入置位状态
S = 0 则 Q = 1(如果 R = 1)
如果 R 变为 0(而 S = 1),Q 变为高电平,将 $\overline{Q}$ 拉低,并且锁存器复位
R = 0则 Q = 1(如果 S = 1)
保持状态要求 S 和 R 都为高电平。如果 S = R = 0,则不允许输出,因为这会导致不确定状态。基于NAND Gate的CMOS SR Latch如图所示。
基于与非门的耗尽型nMOS SR Latch如图所示。操作与CMOS NAND SR 锁存器类似。CMOS 电路实现具有低静态功耗和高噪声容限。
CMOS逻辑电路
时钟SR锁存器
该图显示了添加了时钟的基于 NOR 的 SR 锁存器。仅当 CLK 为高电平时,锁存器才响应输入 S 和 R。
当 CLK 为低电平时,锁存器保持其当前状态。观察 Q 改变状态 -
- 当 S 在正 CLK 期间变高时。
- 在 CLK 低电平期间 S 和 R 发生变化后,在 CLK 前沿。
- 当 CLK 为高电平时 S 中出现正毛刺
- 当 R 在正 CLK 期间变高时。
图中显示了基于时钟 NOR 的 SR 锁存器的 CMOS AOI 实现。请注意,仅需要 12 个晶体管。
当CLK为低电平时,N树N中的两个串联端子开路,并且树P中的两个并联晶体管导通,从而保留存储单元中的状态。
当时钟为高电平时,电路变成一个简单的基于 NOR 的 CMOS 锁存器,它将响应输入 S 和 R。
基于 NAND 门的时钟 SR 锁存器
电路由四个与非门实现。如果该电路用 CMOS 实现,则需要 16 个晶体管。
- 仅当 CLK 为高电平时,锁存器才会响应 S 或 R。
- 如果输入信号和 CLK 信号均为高电平有效:即,当 CLK =“1”、S =“1”且 R =“0”时,锁存器输出 Q 将被置位
- 类似地,当 CLK =“1”、S =“0”且
当 CLK 为低电平时,锁存器保持其当前状态。
时钟JK锁存器
上图显示了基于 NAND 门的时钟 JK 锁存器。SR锁存器的缺点是当S和R都为高时,其输出状态变得不确定。JK锁存器通过使用从输出到输入的反馈来消除这个问题,使得真值表的所有输入状态都是允许的。如果 J = K = 0,锁存器将保持其当前状态。
如果 J = 1 且 K = 0,则锁存器将在下一个正向时钟边沿设置,即 Q = 1,$\overline{Q}$ = 0
如果 J = 0 且 K = 1,则锁存器将在下一个正向时钟边沿复位,即 Q = 1 且 $\overline{Q}$ = 0。
如果 J = K = 1,锁存器将在下一个正向时钟边沿切换
表中给出的真值表总结了时钟控制 JK 锁存器的操作。
J |
K |
问 |
$\overline{Q}$ | S |
右 |
问 |
$\overline{Q}$ | 手术 |
0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 抓住 |
1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | |||
0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 重置 |
1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | |||
1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 放 |
1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | |||
1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 切换 |
1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 |
CMOS D 锁存器实现
D 锁存器通常由传输门 (TG) 开关实现,如图所示。输入 TG 由 CLK 激活,而锁存器反馈环路 TG 由 CLK 激活。当 CLK 为高电平时,输入 D 被接受。当 CLK 变低时,输入开路,锁存器设置为先前的数据 D。