晶体管工作区域

提供直流电源用于晶体管的操作。该直流电源提供给晶体管的两个 PN 结，影响这些发射极和集电极结中多数载流子的Behave。

根据我们的要求，结有正向偏置和反向偏置。正向偏压是指向 p 型材料施加正电压，向 n 型材料施加负电压的情况。反向偏压是指向 n 型材料施加正电压，向 p 型材料施加负电压的情况。

晶体管偏置

提供合适的外部直流电压称为偏置。对晶体管的发射极和集电极结进行正向或反向偏置。这些偏置方法使晶体管电路工作在有源区、饱和区、截止区和反有源区（很少使用）四种区域。看看下表就可以理解这一点。

在这些区域中，反向有源区域，即有源区域的反转，不适合任何应用，因此不被使用。

这是晶体管有许多应用的领域。这也称为线性区域。晶体管位于该区域时，可以更好地充当放大器。

该区域位于饱和和截止之间。当发射结正向偏置且集电极结反向偏置时，晶体管工作在有源区。在工作状态下，集电极电流为基极电流的β倍，即

$$I_{C}\:=\:\beta I_{B}$$

在哪里，

$I_{C}$ = 集电极电流

$\beta$ = 电流放大系数

$I_{B}$ = 基极电流

这是晶体管倾向于表现为闭合开关的区域。晶体管具有集电极和发射极短路的效果。在此工作模式下，集电极和发射极电流最大。

下图显示了工作在饱和区的晶体管。

当发射极和集电极结都正向偏置时，晶体管工作在饱和区。据了解，在饱和区，晶体管往往表现为闭合开关，我们可以说，

$$I_{C}\:=\:I_{E}$$

其中 $I_{C}$ = 集电极电流，$I_{E}$ = 发射极电流。

这是晶体管往往表现为开路开关的区域。晶体管具有其集电极和基极打开的效果。在此工作模式下，集电极、发射极和基极电流均为零。

下图显示了工作在截止区的晶体管。

当发射极和集电极结都反向偏置时，晶体管工作在截止区。由于在截止区，集电极电流、发射极电流和基极电流为零，我们可以写为

$$I_{C}\:=\:I_{E}\:=\:I_{B}\:=\:0$$

其中$I_{C}$ = 集电极电流，$I_{E}$ = 发射极电流，$I_{B}$ = 基极电流。